マフィンティンポテンシャル

電子構造論
原子価結合法
コールソン＝フィッシャー理論一般化された原子価結合現代原子価結合
分子軌道法
ハートリー＝フォック法半経験的分子軌道法メラー＝プレセット法配置間相互作用法結合クラスター法多配置自己無撞着場量子化学複合手法（英語版）量子モンテカルロ原子軌道による線形結合法
密度汎関数理論
時間依存密度汎関数法トーマス＝フェルミ模型オービタルフリー密度汎関数理論
電子バンド構造
ほとんど自由な電子モデル強結合近似マフィンティン近似 k·p摂動論空格子近似
表話編歴

マフィンティン・ポテンシャル（英: Muffin-Tin potential、MTポテンシャル）とは、APW法、LMTO法、KKR法等、全電子によるバンド計算手法で用いられるポテンシャルである。マフィンティンポテンシャルは、原子核部分を記述する球対称なポテンシャル部分と、それ以外（格子間領域）の平らな部分とからなる。この平らな部分は通常、V = 0（マフィンティンゼロと言う）とするが、手法によってゼロとしない場合がある。

ポテンシャルの形がマフィンを焼く際に用いる焼型、すなわちマフィンティン（Muffin-Tin）と似ていることからこのように呼ばれる。

原子核ポテンシャルに球対称性を課さないものが、フルポテンシャルによる手法である。

マフィンティンポテンシャルにおいて、原子核部分を記述する、球対称なポテンシャル部分のことをマフィンティン球（マフィンティンきゅう、Muffin-tin sphere）といい、この部分の半径をマフィンティン半径（マフィンティンはんけい、Muffin-tin radius）という。通常、周りの他のマフィンティン球部分と重ならない範囲で、なるべく大きな値をとるようにする（接するのが最大）。マフィンティン球同士が重なることはない。